Ukraine
Uzbekistan
Poland
South Africa
Nigeria
We translate the page. Please wait
官网正版 IGBT模块 技术 驱动和应用 中文版 原书第2版 安德列亚斯 福尔克 半导体结构 芯片 电气特性 封装工艺 寄生参数 热管理
Link to the original- 100 — 1999 шт 5000$ per piece.
- 2000 — 50119 шт 4000$ per piece.
- 50120+ шт 3000$ per piece.
Available 0 pcs.
8.93
$
+ Shipping in China
0.0$
Not available
Inspection + photo report for $1.5.
We check the goods and take a photo report so you can make sure you get the right product without faults or damage
Add photo report
Delivery from China to Ukraine, Uzbekistan, European and African countries
Payable upon arrival at the warehouse in China
Returns are only possible while the item is in our warehouse in China. Once the goods have been dispatched from China, they cannot be returned
Photo and product description
|
商品基本信息 | |
| 商品名称： | IGBT模块：技术、驱动和应用 （中文版;原书第2版） |
| 作者： | [德]安德列亚斯·福尔克 麦克尔;郝康普 |
| 市场价： | 88.00 |
| ISBN号： | 9787111535669 |
| 版次： | 1-4 |
| 出版日期： | 2016-06 |
| 页数： | 392 |
| 字数： | 626 |
| 出版社： | 机械工业出版社 |
| 目录 | |
| 目录 译者序 序 前言 第1章功率半导体1 1.1简介1 1.1.1本征载流子浓度2 1.1.2掺杂4 1.1.3载流子在半导体中的运动6 1.1.4载流子的产生与复合8 1.1.5PN结9 1.1.6反向击穿12 1.1.7制造工艺13 1.2二极管16 1.2.1快恢复二极管17 1.2.2电源（整流）二极管19 1.2.3肖特基二极管19 1.2.4齐纳二极管与雪崩二极管20 1.3晶闸管21 1.4双极结型晶体管和场效应晶体管22 1.4.1双极结型晶体管（BJT）22 1.4.2场效应晶体管（FET）24 1.5绝缘栅双极型晶体管（IGBT）28 1.5.1穿通（PT）型IGBT32 1.5.2非穿通（NPT）型IGBT34 1.5.3场终止（FS）型IGBT35 1.5.4沟槽栅（Trench）IGBT35 1.5.5载流子储存沟槽栅 双极晶体管（CSTBTTM）37 1.5.6注入增强栅晶体管（IEGT）38 1.5.7沟槽栅场终止IGBT （Trench-FSIGBT）38 1.5.8逆导型IGBT（RCIGBT）38 1.5.9IGBT集成的额外功能39 1.6前景展望41 1.7制造商43 本章参考文献44 第2章IGBT器件结构47 2.1简介47 2.2IGBT模块的材料48 2.2.1塑料框架48 2.2.2衬底50 2.2.3基板51 2.2.4塑模材料、环氧树脂和硅胶52 2.3电气键合工艺53 2.3.1内部电气连接技术54 2.3.2外部电气连接技术60 2.4设计理念69 2.4.1标准IGBT模块69 2.4.2压接式IGBT69 2.4.3智能功率模块（IPM）70 2.4.4IGBT模制模块71 2.4.5分立式IGBT72 2.4.6套件73 2.5半导体的内部并联74 2.6低感设计76 2.7IGBT模块的电路拓扑77 2.8IGBT绝缘配合79 2.8.1电气间隙和爬电距离80 2.8.2绝缘电压82 2.8.3局部放电83 2.9制造商概览84 本章参考文献85 第3章电气特性87 3.1简介87 3.2二极管的正向特性94 3.3二极管的开关特性96 3.3.1二极管的开通96 3.3.2二极管的关断98 3.4IGBT的正向特性101 3.5IGBT的开关特性103 3.5.1IGBT的开通特性103 3.5.2IGBT的关断特性105 3.5.3栅极电荷和密勒效应106 3.5.4NPT IGBT与沟槽栅IGBT关断 特性比较分析107 3.6短路特性108 3.7阻断特性111 3.8静态和动态雪崩击穿112 3.9杂散电感113 3.10不同的半导体来源115 本章参考文献116 第4章热原理118 4.1简介118 4.1.1定义118 4.1.2热传导119 4.1.3热辐射123 4.1.4对流125 4.2材料以及导热性能126 4.3热模型131 4.4散热器136 4.4.1空冷散热器137 4.4.2液冷散热器138 本章参考文献140 第5章模块数据手册141 5.1简介141 5.2IGBT141 5.3续流二极管144 5.4整流二极管（PIM/CIB模块）145 5.5制动斩波器（PIM/CIB模块）145 5.6负温度系数热敏电阻（可选）146 5.7模块147 5.8图表148 5.9电路的拓扑结构149 5.10封装图149 本章参考文献150 第6章IGBT驱动151 6.1简介151 6.2信号传输152 6.2.1电平转换152 6.2.2光电耦合器156 6.2.3脉冲变压器157 6.2.4电容耦合器160 6.2.5光纤161 6.2.6总结162 6.3IGBT栅极驱动器163 6.4驱动器电源173 6.4.1自举电路174 6.4.2DC－DC变换器176 6.4.3欠电压闭锁179 6.5耦合电容180 6.6影响开关特性的参数181 6.6.1栅极电阻181 6.6.2栅-射极的外接电容CG183 6.6.3栅极引线电感186 6.7保护措施187 6.7.1UCESat的监控187 6.7.2集-射极钳位195 6.7.3栅极钳位204 6.7.4密勒钳位207 6.7.5利用发射极的寄生电感209 6.7.6两电平关断210 6.7.7软关断212 6.8逻辑功能212 6.8.1最小脉冲抑制213 6.8.2死区生成和半桥互锁213 6.8.3错误消息，阻断时间和故障 存储214 6.9安全停止214 6.10并联和串联216 6.10.1并联216 6.10.2串联连接217 6.11三电平NPC电路217 6.12综合性能和成本选择驱动器218 6.13制造商概述219 本章参考文献219 第7章实际应用中的开关特性221 7.1简介221 7.2IGBT的控制电压221 7.2.1正电压控制221 7.2.2负电压控制和0V关断222 7.3最小开通时间225 7.4死区227 7.5开关速度228 7.6短路关断229 7.7杂散电感的影响233 7.7.1换流通路杂散电感233 7.7.2栅极通路杂散电感235 7.8安全工作区236 7.8.1IGBT反偏安全工作区和短路 安全工作区236 7.8.2二极管安全工作区237 7.9IGBT反向阻断电压237 7.10集成碳化硅续流二极管的硅IGBT238 7.11降载开关和(准)谐振开关240 7.11.1缓冲电路240 7.11.2谐振开关244 本章参考文献246 第8章IGBT模块的并联和串联247 8.1简介247 8.2并联247 8.2.1静态工作注意事项248 8.2.2动态工作注意事项251 8.2.3栅极驱动并联253 8.2.4外部平衡组件并联连接259 8.3串联262 本章参考文献264 第9章射频振荡265 9.1简介265 9.2短路振荡266 9.3IGBT关断振荡267 9.4拖尾电流振荡268 本章参考文献270 第10章机械安装指导271 10.1简介271 10.2连接技术271 10.2.1电气连接271 10.2.2散热器安装和导热硅脂272 10.2.3直接冷却模块安装276 10.3环境影响277 10.3.1机械负载277 10.3.2气体和液体278 10.4运输与储存279 本章参考文献279 第11章基本电路与应用实例280 11.1简介280 11.2AC－DC整流器和制动斩波器281 11.2.1主动前端287 11.2.2维也纳整流器288 11.3DC－DC变换器289 11.3.1降压型变换器290 11.3.2升压型变换器291 11.3.3升降压型变换器292 11.3.4H桥电路293 11.4DC－AC逆变器294 11.4.1电压源逆变器294 11.4.2多电平逆变器296 11.4.3电流源逆变器299 11.4.4Z源逆变器299 11.5AC－AC变换器303 11.6应用举例305 11.6.1伺服驱动305 11.6.2不间断电源305 11.6.3太阳能逆变器307 11.6.4风能逆变器308 11.6.5牵引逆变器310 11.6.6开关磁阻电动机311 11.6.7中压逆变器312 本章参考文献313 第12章信号测量和仪器315 12.1简介315 12.2数字存储示波器315 12.3电流测量317 12.3.1基于无磁原理的电流测量318 12.3.2基于电磁原理的电流测量325 12.4电压测量330 12.5温度测量332 12.6双脉冲测试337 本章参考文献340 第13章逆变器设计341 13.1简介341 13.2逆变器的组成341 13.3电压等级342 13.4寄生元件343 13.5直流母线344 13.6吸收电容346 13.7驱动单元安装348 13.8电气间隙和爬电距离350 13.9电机电缆长度的影响350 13.10滤波器352 13.10.1电源滤波器352 13.10.2直流母线滤波器353 13.10.3输出滤波器354 13.11熔断器355 13.12调制算法的影响357 13.13 |
| 内容简介 | |
| 本书首先介绍了IGBT的内部结构，然后通过电路原型或基本模型推导出的IGBT变体形式。在此基础上，探讨了IGBT的封装技术。本书还讨论了IGBT电气特性和热问题，分析了IGBT的特殊应用和并联驱动技术。这些分析还包括了IGBT的实际开关行为特性、电路布局、应用实例以及设计规则。 |